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一种GaN厚膜的生长方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-998-4504-0123
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/02;C30B25/04;C30B25/18;C30B29/40类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种GaN厚膜的生长方法,属于光电子功率器件技术领域,本发明在蓝宝石基板上生长GaN籽晶,再在GaN籽晶上刻蚀形成阵列式图案的GaN独立模块,通过调整刻蚀进入蓝宝石的深度和宽度控制GaN厚膜的应力,再用有机化学气相沉积或氢化物气相外延进行侧向外延生长,实现GaN独立部分横向连接,得到平整的GaN厚膜,解决异质外延因应力大无法生长厚膜问题,为GaN自支撑衬底的制备提供厚膜,应用于同质外延的功率器件、蓝光激光器等,满足高效新型大功率电力电子、光电等领域应用需求。
附件下载:  (原始资料备查)

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