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一种GaAs基LED晶片的衬底腐蚀方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-038-0522-0389
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/306;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种GaAs基LED晶片的衬底腐蚀方法,包括如下制作步骤:(1)GaAs衬底腐蚀;(2)水洗;(3)阻挡层去除;(4)水洗;(5)干燥。本发明通过氨水双氧水溶液的适当比例以及适当的角度调整,快速完成底层砷化镓的腐蚀,然后使用适当配比的稀盐酸溶液,通过合适时间的配合,完成阻挡层的腐蚀,整个过程快速有效,既完成了衬底的均匀有效腐蚀,又没有对其它结构产生影响。本发明方法整个过程制作效率较高,成本较低,缩短制程时间的同时减少了晶片表面的污,提高了整个晶片的良率。本发明方法,适合所有GaAs基LED晶片的衬底腐蚀制作。
附件下载:  (原始资料备查)

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