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一种LED外延底层结构及其生长方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-056-4932-5155
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/32;H01L33/14;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种LED外延底层结构及其生长方法,属于LED外延生长技术领域。该结构由下至上包括蓝宝石衬底、AlGaN/AlN成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、p型AlGaN层和p型GaN层;AlGaN/AlN成核层由ALGaN缓冲层和高温ALN层交替生长3-10个周期形成。本发明对衬底和外延之间的晶格失配产生影响,改变外延片的应力分布从而改变生长过程中的翘曲程度,并且提高了高温条件下生长GaN薄膜的结晶质量并且改善均匀性,使得整个LED外延层的结构质量更高,结构缺陷的减少使得载流子辐射性复合几率增加而提高了亮度,低生产成本,提高生长质量,最终提高GaN基LED器件的发光效率。
附件下载:  (原始资料备查)

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