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一种改善LED芯片制造良率的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-153-3914-7545
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/14;H01L33/44;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明公开了一种改善LED芯片制造良率的方法,本方案首先进行晶片外延层的生长,紧接着在第二高掺p-GaP窗口层上腐蚀形成裸露区,再沉积氧化物薄膜;接着在外延层表面蒸镀ITO膜,继续进行P面电极、N面电极的制作,最后在P面电极表面蒸镀保护膜,再进行切割,切割后通过热水超声去除保护膜,最后将芯片清洗、扩膜,形成独立单个芯粒;本发明不仅有效实现了LED芯片的制备,提高了芯片发光效果,而且晶片表面交替生长MgF_2/CaF_2薄膜,发光面光滑,解决了切割过程中金刚刀与ITO膜直接接触容易伴随产生崩角、裂纹等问题,极大提高产品质量和可靠性,并且解决了切割过程中碎屑及水渍脏污残留,提高产品外观良率,具有较高的实用性。
附件下载:  (原始资料备查)

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