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一种GaN基紫外LED外延结构及其制造方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-326-8171-8776
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 一种GaN基紫外LED外延结构及其制造方法,由于每个多量子阱中阱层是由AlxGa1-xN层、AlyGa1-yN层以及AlzGa1-zN层构成,y的值小于x的值,因此形成的量子阱能带结构中阱层会形成斜面过渡。通过调整位于中间的AlyGa1-yN层中y的取值,实现调节能带结构中三角形势垒弯曲程度的效果,从而优化电子和空穴的波函数的重合度。同时由于在阱层和AlaGa1-aN垒层之间设置了AlbGa1-bN高势垒层,AlbGa1-bN高势垒层中b的取值相对于x、y的取值都大,说明其Al的含量最高,通过调整b的取值来控制AlbGa1-bN高势垒层的能带高度,可以有效阻挡电子溢出,防止电子泄露,提高了紫外LED的内量子效率和发射功率。
附件下载:  (原始资料备查)

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