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一种表面粗化的LED芯片制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-447-7270-2907
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/22;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种表面粗化的LED芯片制备方法,该制备方法包括步骤如下:(1)在GaAs外延片的表面蒸镀ITO颗粒;(2)在焊盘表面涂覆正性光刻胶;(3)将GaAs外延片放入到ICP刻蚀机中进行粗化;(4)去除掉正性光刻胶;(5)在GaAs外延片的表面生长电流扩展层,再进行退火处理;(6)对GaAs外延片的衬底进行减薄;(7)在减薄后的GaAs外延片的背面生长N面电极;(8)在GaAs外延片的表面制备负性光刻胶电极图形;(9)在GaAs外延片的表面蒸镀金属电极,制备P面电极。本发明提供制备方法步骤简单,成本低,粗化效果好,可以达到纳米级别,发光亮度提升10%-15%之间。
附件下载:  (原始资料备查)

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