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测试LED芯片参数的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-507-7916-4550
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00;H01L21/66;H01L21/67类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明实施例公开了测试LED芯片参数的方法,包括步骤:S1,对芯片进行半切操作,形成测试点;S2,对芯片进行参数测试,输出芯片参数测试结果及各参数的Mapping图;S3,全切,形成若干颗独立的管芯;S4,扩膜,使所述管芯之间产生间隙;S5,对应Mapping图,划定参数范围,并夹取划定范围内的管芯,放置到铜板上;S6,对管芯逐一进行扎测,输出单颗管芯参数测试结果;S7,将芯片参数测试结果与管芯参数测试结果进行对比,若两测试结果符合差异率标准,测试通过。通过对全切后的管芯进行扎测,将芯片测试参数与管芯扎测参数对比,提高了对芯片测试参数的准确性监控,保证了产品性能参数的准确性,提升产品可靠性。
附件下载:  (原始资料备查)

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