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一种砷化镓基LED芯片的制作方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-507-8249-5897
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明实施例公开了一种砷化镓基LED芯片的制作方法,包括在外延片表面P型层制作欧姆接触层;对完成欧姆材料制备的外延片进行热退火处理;在所述欧姆接触层表面制作P电极;将所述外延片固定到热解膜上,将外延片的衬底研磨至需要厚度,对研磨面进行去离子水冲洗;对研磨后的外延片进行N面蒸镀,蒸镀温度为180-300℃;对蒸镀完成的晶片进行N面合金,合金温度为360-380℃,合金过程中,所述热解膜脱落;对热解膜脱落的晶片进行半切测试,得到芯粒参数;对半切测试后的晶片进行全切操作,形成独立的芯粒。本发明进行研磨步骤前对晶片增加热解膜,热解膜作为薄晶片的支撑,降低研磨工步、研磨后蒸镀、研磨后切割等工步间的裂片率。
附件下载:  (原始资料备查)

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