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专利信息

一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-620-7361-2285
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L33/00;H01L33/14;H01L33/22类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明涉及一种新型AlGaInP四元LED芯片制备方法,该方法包括(1)在外延片的表面蒸镀ITO；(2)在ITO的表面制备光刻胶图形；(3)对光刻胶图形进行ICP刻蚀,刻蚀至ITO表面的光刻胶完全消耗；缺少光刻胶保护的ITO区域产生了深刻蚀,形成开孔区域；被光刻胶保护的ITO区域产生了浅刻蚀,形成粗化区域；(4)在外延片的表面再次蒸镀ITO；(5)制备P面金属电极图形；(6)利用电子束蒸发法蒸镀P面金属电极；(7)研磨衬底；(8)蒸镀N面金属电极；(9)切割获得独立的芯片。该制备方法采用干法刻蚀进行粗化,此种方法不使用粗化液,无需进行去胶作业,具有时效快、成本低、环保等特点。
附件下载：  (原始资料备查)

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