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一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的返工方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-057-7749-9686
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/46类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的返工方法,包括:(1)制作键合片:键合片是指键合的永久性衬底结构及临时衬底结构,永久性衬底结构包括自下而上的硅永久性衬底、第二反射镜层、金属粘附层,临时衬底结构包括自下而上的第一反射镜层、电流阻挡层、P型GaAs层、P型AlGaInP层、量子阱层、N型AlGaInP层、N型GaAs层、阻挡层、缓冲层、GaAs临时衬底,电流阻挡层内还设置有P型欧姆接触点;(2)返工处理:将永久性衬底结构及临时衬底结构分开,并去除第一反射镜层;(3)制作后续管芯;本发明有效的返工制作方法提高了倒装芯片的最终管芯良率。
附件下载:  (原始资料备查)

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