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一种银基键合的反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-067-2877-0341
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/44;H01L33/46;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明实施例公开了一种银基键合的反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:制作临时衬底、制作永久衬底、键合、制作保护层、衬底腐蚀、制作粗话层、制作主电极以及制作管芯。本发明使用二氧化硅作为保护层,在晶片正反两面生长,实现侧面的完全包裹将Ag金属与溶液接触的部分完全保护起来,使金属Ag没有与溶液接触的机会,从而可以按照目前的常规腐蚀液进行腐蚀,而不会产生腐蚀不均匀的现象,通过本发明实施例制作出衬底和阻挡层腐蚀彻底的管芯结构,制作的管芯电压良率可达到100%,亮度大幅度提升。
附件下载:  (原始资料备查)

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