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一种提高砷化镓基LED晶片半切测试准确性的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-072-4655-3480
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第G01N1/28;G01N1/32;G01R31/26;G01M11/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种提高砷化镓基LED晶片半切测试准确性的方法。包括步骤:(1)向砷化镓基LED晶片的电极面涂覆正性光刻胶,甩均匀;(2)将晶片进行曝光,再显影和镜检;(3)将晶片烘干,放入刻蚀机中在晶片中央进行刻蚀;(4)将刻蚀后的晶片进行去胶清洗,在测试机上选择参数档完成光电参数测试。本发明通过在晶片中央进行刻蚀,并控制刻蚀宽度和刻蚀深度为,使得刻蚀深度大于外延结构的厚度,实现晶片的半切,有效克服了使用金刚刀切割导致测试过程中的测试参数不准,波动范围大的问题,极大地提高了后续测试过程中光电参数的准确性。同时降低使用金刚刀切割过程中的易出现的裂片损失以及崩边外观异常,成功的降低成本、提高外观良率。
附件下载:  (原始资料备查)

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