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一种提高激光剥离效率的GaN厚膜生长方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-072-9288-3596
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00;B23K26/50;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种提高激光剥离效率的GaN厚膜生长方法。包括步骤如下:(1)采用草酸溶液在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上进行腐蚀,形成均匀的纳米空洞;(2)通入氨气,在氨气保护下,升温至GaN厚膜生长温度;(3)通过金属有机化学气相沉积法或氢化物气相外延法在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上生长GaN厚膜,再将GaN厚膜键合到硅片上,激光剥离衬底,得到GaN厚膜。本发明在长有GaN籽晶的蓝宝石基板上通过电化学腐蚀出纳米尺寸海绵枝杈状空洞,在界面处形成晶格间的弱连接,有效降低了激光剥离时激光阈值能量,使得激光剥离效率显著提高50%,同时剥离下来的GaN厚膜韧性好,品质高,不容易碎裂,合格率显著提高。
附件下载:  (原始资料备查)

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