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一种降低应力的GaN厚膜生长方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-072-9288-5379
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L21/02;H01L33/00;H01S5/02类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种降低应力的GaN厚膜生长方法。所述方法包括步骤如下:(1)在蓝宝石上生长GaN籽晶,得到长有GaN籽晶的蓝宝石;(2)将GaN籽晶键合到金属基板或陶瓷基板上,通过激光剥离技术,将蓝宝石衬底去除,得到长有GaN籽晶的金属基板或陶瓷基板;(3)通入氨气,在氨气保护下,升温至GaN厚膜生长温度,然后通过金属有机化学气相沉积法或氢化物气相外延法在长有GaN籽晶的金属基板或陶瓷基板上生长GaN厚膜。本发明提将GaN籽晶键合到和GaN热膨胀系数相同或相近的金属或陶瓷基板上,由于GaN和金属或陶瓷基板上不存在热失配问题,完全消除了衬底与GaN之间因高温生长导致的热失配,生长的GaN厚膜无龟裂,为GaN自支撑衬底的制备提供厚膜。
附件下载:  (原始资料备查)

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