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一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-098-2494-0061
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第C30B29/40;C30B25/18;C30B23/02;H01L21/02;H01L33/00类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明涉及一种在金属衬底上生长GaN厚膜的方法。包括步骤如下:(1)在金属基板上制备腐蚀剥离层,然后在腐蚀剥离层上制备过渡界面层;(2)通入氨气,在氨气保护下,升温至GaN厚膜生长温度,在过渡界面层上生长GaN厚膜;(3)放入氢氟酸中,腐蚀10-30分钟,剥离后得到GaN厚膜。本发明提供的在金属基板生长GaN厚膜的方法,在和GaN热膨胀系数相同或相近的金属基板上生长GaN厚膜,生长的GaN厚膜无龟裂,提高了GaN厚膜的合格率,降低了生产成本,并且腐蚀剥离层易被氢氟酸腐蚀,剥离GaN厚膜的过程简单快速,还不会对GaN厚膜造成损伤。
附件下载:  (原始资料备查)

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