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专利信息

一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-105-4629-3745
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/768类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开一种用等离子体和反应离子刻蚀制造双台阶型连接孔的方法,步骤包括：1)在衬底(1)上淀积第一介质层(2)；2)在第一介质层(2)上淀积第二介质层(3)；3)在第二介质层(3)上形成连接孔图形；4)刻蚀第二介质层(3)的连接孔图形,形成第一个台阶；5)刻蚀第一介质层(2),形成第二个台阶；6)利用刻蚀工艺去除光刻图形；7)淀积金属层(4),填充连接孔,引出电阻。本发明通过对刻蚀过程的控制,利用两种不同的介质的刻蚀速率差异在单次光刻的前提下形成了双台阶的连接孔形貌。
附件下载：  (原始资料备查)

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