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专利信息

一种用反应溅射和薄膜退火制作薄膜电阻的方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-105-5479-4189
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H10N97/00;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/58;C23C14/10;C23C14/06;C23C14/16类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开了一种用反应溅射和薄膜退火制作薄膜电阻的方法,包括以下步骤：1)在衬底介质层上利用反应溅射淀积一层薄膜电阻层和掩蔽层；2)通过干法刻蚀的方法去除薄膜电阻层和掩蔽层,形成电阻图形；3)利用光刻刻蚀工艺去除多余的掩蔽层,保留端头掩蔽层；4)在电阻图形上淀积隔离层,并在电阻端头刻蚀形成连接孔；5)进行薄膜退火；6)淀积金属层,填充连接孔,引出电阻。本发明具有能有效保证薄膜材料电阻的稳定性的有益效果。
附件下载：  (原始资料备查)

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