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一种GaAs基LED芯片的制备方法【异议或纠错】

档案编号: CQ-117-0090-1607
档案文号:
专利权人: 申请人 
发布时间: 发布时间 
档案分类: 专利权 
分 类 号: 第H01L33/00;H01L33/36类
授权状态: 已授权
档案内容: 本发明提供一种GaAs基LED芯片的制备方法,属于光电子技术领域,包括:在GaAs衬底上生长外延层,并在外延层表面涂一层正性光刻胶,并通过光刻形成多个正性光刻胶层;在正性光刻胶层的表面上沉积一层P面Au膜,在多个正性光刻胶层的间隙内形成了P电极,正性光刻胶层保留,直接对GaAs衬底减薄,正性光刻胶层厚度大于P电极厚度;通过蒸镀进行N面Au膜沉积形成N电极;对上述制备的芯片放置在光刻机下进行全部区域光照,然后使用正性光刻胶显影液进行清洗,利用正性光刻胶特性将P面的正性光刻胶层去除,得到制备完成的GaAs基LED芯片。本发明的制备方法流程简便、能确保N电极制备过程中P电极不会有损失、污染的问题。
附件下载:  (原始资料备查)

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