模拟BiCMOS工艺高应力边缘效应优化集成方法和高线性双多晶电容器【异议或纠错】

相关专利信息信息

• 一种肖特基势垒接触的超势垒整流器及其制造...
• 精密多晶硅电容器非线性校准工艺设计与集成...
• 高压双极工艺集成隐埋齐纳管制造方法
• 一种单芯片LED光电耦合器、其集成电路及...
• 一种提高快速退火炉片间重复性的方法

说明：
一、所有信息力求客观、真实：以上信息由全国各级政府职能部门、各行业协会（社团组织）、金融机构、主流媒体、信息主体或实名制下的广大消费者（包括交易对方、员工等）客观提供，不含有本征信平台的任何主观评价；
二、信息异议机制：欢迎大家对有异议的信息及时提出，我们将按照《绿盾全国企业征信管理办法》规定对异议进行核实、修正，确保客观、公平；
三、尊重发布者权益，永不"删贴"：对于符合国家法律、法规和本征信平台规定的每一条信息，都将客观记录于企业信用档案，参与信用分值计算，并长期保存。