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专利信息

一种自对准形成沟道的非多晶自对准VDMOS及其制造方法【异议或纠错】

档案编号： CQ-128-6241-5353
档案文号：
专利权人： 申请人 
发布时间： 发布时间 
档案分类： 专利权 
分 类 号： 第H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10类
授权状态： 已授权
档案内容： 本发明公开一种自对准形成沟道的非多晶自对准VDMOS及其制造方法。VDMOS包括衬底、外延层、阱、源、栅氧层、栅多晶层、介质层和金属层。方法步骤为：1)对外延层进行预氧氧化,生长预氧层,并进行自对准注入屏蔽介质层的淀积。2)对自对准注入屏蔽介质层进行光刻刻蚀。通过自对准注入屏蔽介质层的刻蚀窗口进行阱的注入,再进行高温阱推进工艺。)进行源的光刻刻蚀和注入,形成VDMOS沟道。3)进行自对准注入屏蔽介质层的剥离。4)进行栅氧层和栅多晶层的生长,并进行多晶光刻刻蚀形成多晶阵列。5)进行介质层的淀积和孔光刻,进行金属层的淀积、光刻,完成VDMOS的制造流程。本发避免了阱和源相对套位偏差、栅氧受工艺中高温制程影响,保障了栅氧质量。
附件下载：  (原始资料备查)

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